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II-V族外延晶圆是MCT/InAs/InAsSb探测器的设计者和制造商，提供低温制冷的红外探测器、III-V族外延片，覆盖1-16μm光谱范围，同时提供探测器模块、前置放大器、TEC温控等组件和解决方案。提供VCSEL晶圆和InGaAs晶圆。
详细介绍
III-V族外延晶片 波兰VIGO公司成立于1993年，拥有一支超过30年红外探测器研究经验的资深专家队伍，是MCT/InAs/InAsSb探测器的设计者和制造商，提供低温制冷的红外探测器、III-V族外延片，覆盖1-16μm光谱范围，同时提供探测器模块、前置放大器、TEC温控等组件和解决方案。提供VCSEL晶圆和InGaAs晶圆。
VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-，InP-)相关的半导体化合物，在外延方面有35年的经验，并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层，具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统，拥有水平层流反应器，进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合，为各种微电子和光子应用提供外延服务，下游的应用包含三极管，二极管，激光器，探测器等。具有以下特点：
外延纳米技术，超越单一技术解决方案
大规模生产或小批量制造，提供多类优质外延片
生产的高级III-V族化合物半导体外延结构，被广泛运用于光子设备(F-P、VCSEL、QCL激光器、光电探测器)、微电子设备(二极管、晶体管)
聚焦无线、电信、传感或打印领域的高度创新型产品，可提供全面的研发服务。
III-V族外延晶片主要特点
超高纯度
控制厚度在±1nm
优秀的均匀性
重现性
可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸
III-V族外延晶圆产品链接：
http://www.uniqueray.com.cn/SonList-2457414.html
https://www.chem17.com/st423982/erlist_2457414.html